MOSFET P-kanałowy STD10P6F6 60 V 10 A 3-Pin DPAK (TO-252) SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 10 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 60 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 160 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 4V
Minimalne napięcie progowe VGS 2V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania DPAK (TO-252)
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 3
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Kategoria MOSFET zasilania
Maksymalna strata mocy 30 W
Wysokość 2.38mm
Seria STripFET
Maksymalna temperatura robocza +175°C
Napięcie przewodzenia diody 1.1V
Długość 6.6mm
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 14 ns
Wymiary 6.6 x 7.45 x 2.38mm
Materiał tranzystora Si
Typowy czas opóźnienia włączenia 64 ns
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 6,4 nC przy 10 V
Liczba elementów na układ 1
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 340 pF przy -48 V
Szerokość 7.45mm
60 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
120 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt. (opak. á 20)
4,38
(bez VAT)
5,38
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
20 - 80
4,38 zł
87,52 zł
100 - 480
3,36 zł
67,18 zł
500 - 980
2,93 zł
58,62 zł
1000 - 2480
2,33 zł
46,54 zł
2500 +
2,07 zł
41,34 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: