MOSFET P-kanałowy 10 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 30 W 160 miliomów
- Nr art. RS:
- 917-2747
- Nr części producenta:
- STD10P6F6
- Producent:
- STMicroelectronics
1340 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 20)
3,36 zł
(bez VAT)
4,13 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 20 - 80 | 3,36 zł | 67,14 zł |
| 100 - 180 | 3,19 zł | 63,72 zł |
| 200 - 480 | 2,87 zł | 57,42 zł |
| 500 - 980 | 2,59 zł | 51,72 zł |
| 1000 + | 2,46 zł | 49,10 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 917-2747
- Nr części producenta:
- STD10P6F6
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
P-Channel STripFET™ Moc energetyczna MOSFET, STMicroelectronics
Tranzystory MOSFET STripFET™ o szerokim zakresie napięć zasilających zapewniają bardzo niski poziom naładowania bramki i niską rezystancję.
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 10 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Seria | STripFET |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 160 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 30 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 6,4 nC przy 10 V |
| Długość | 6.6mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Szerokość | 7.45mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 2.38mm |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.1V |