MOSFET P-kanałowy 6,8 A TO-220AB 100 V Pojedynczy 60 W 600 miliomów
- Nr art. RS:
- 919-0026
- Nr części producenta:
- IRF9520PBF
- Producent:
- Vishay
600 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
6,66 zł
(bez VAT)
8,20 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 6,66 zł | 333,15 zł |
| 100 - 200 | 5,66 zł | 283,15 zł |
| 250 + | 5,33 zł | 266,55 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 919-0026
- Nr części producenta:
- IRF9520PBF
- Producent:
- Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Nie dotyczy
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
P-Channel MOSFET, od 100V do 400V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 6,8 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 100 V |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 600 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 60 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Długość | 10.41mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 18 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.7mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 9.01mm |
- Nr art. RS:
- 919-0026
- Nr części producenta:
- IRF9520PBF
- Producent:
- Vishay