MOSFET N-kanałowy podwójny SI4214DDY-T1-GE3 30 V 7,5 A 8-Pin SOIC SMD Izolacja Si

  • Nr art. RS 919-0281
  • Nr części producenta SI4214DDY-T1-GE3
  • Producent Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

Podwójny MOSFET N-Channel, Vishay Semiconductor

Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 7,5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Maksymalna rezystancja dren-źródło 19.5 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS 1.2V
Maksymalna strata mocy 2 W
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Liczba elementów na układ 2
Wysokość 1.5mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Długość 5mm
Materiał tranzystora Si
Minimalna temperatura robocza -55°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 14,5 nC przy 10 V; 7,1 nC przy 4,5 V
Szerokość 4mm
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 24.03.2020, dostawa w ciągu 2 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (2500 na rolce)
1,31
(bez VAT)
1,62
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
2500 - 5000
1,31 zł
3 285,00 zł
7500 +
1,28 zł
3 202,50 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa