MOSFET N-kanałowy podwójny SI4214DDY-T1-GE3 30 V 7,5 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 919-0281
  • Nr części producenta SI4214DDY-T1-GE3
  • Producent Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 7,5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 19,5 mΩ
Minimalne napięcie progowe VGS 1.2V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Liczba styków 8
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Kategoria MOSFET zasilania
Maksymalna strata mocy 2 W
Minimalna temperatura robocza -55°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 14,5 nC przy 10 V; 7,1 nC przy 4,5 V
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 18 ns
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Wysokość 1.5mm
Liczba elementów na układ 2
Szerokość 4mm
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 660 pF przy 15 V
Długość 5mm
Typowy czas opóźnienia włączenia 14 ns
Materiał tranzystora Si
Wymiary 5 x 4 x 1.5mm
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 10.06.2020, dostawa w ciągu 2 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (2500 na rolce)
1,76
(bez VAT)
2,16
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
2500 - 5000
1,76 zł
4 387,50 zł
7500 +
1,68 zł
4 207,50 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa