MOSFET N-kanałowy 18 A TO-220AB 200 V Pojedynczy 150 W 150 mΩ
- Nr art. RS:
- 919-4817
- Nr części producenta:
- IRF640NPBF
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 31.07.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
3,55 zł
(bez VAT)
4,37 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 3,55 zł | 177,50 zł |
| 100 - 200 | 2,80 zł | 140,20 zł |
| 250 - 450 | 2,63 zł | 131,35 zł |
| 500 - 1200 | 2,45 zł | 122,45 zł |
| 1250 + | 2,27 zł | 113,60 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 919-4817
- Nr części producenta:
- IRF640NPBF
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MX
Szczegółowe dane produktu
N-Channel Power MOSFET o napięciu od 150V do 600V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 18 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 150 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 150 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 67 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 8.77mm |
| Seria | HEXFET |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 919-4817
- Nr części producenta:
- IRF640NPBF
- Producent:
- Infineon