MOSFET N/P-kanałowy podwójny IRF7319PBF 30 V 4,9 A; 6,5 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 919-4839
  • Nr części producenta IRF7319PBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: TH
Szczegółowe dane produktu

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,9 A; 6,5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 29 mΩ, 58 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 1V
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2 W
Długość 5mm
Seria HEXFET
Minimalna temperatura robocza -55°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 22 nC przy 10 V, 23 nC przy 10 V
Szerokość 4mm
Liczba elementów na układ 2
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Wysokość 1.5mm
Materiał tranzystora Si
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena za szt. (w tubie á 95)
Było 229,63 zł
0,99
(bez VAT)
1,21
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
95 +
0,99 zł
93,58 zł
*cena za opakowanie