MOSFET N/P-kanałowy 5,3 A; 7,3 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2,5 W 29 mΩ, 58 mΩ

Nr art. RS:: 919-4949
Nr części producenta:: IRF7389PBF
Producent:: Infineon

MOSFET N/P-kanałowy 5,3 A; 7,3 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2,5 W 29 mΩ, 58 mΩ

Zobacz kategorię

Produkt wycofany

Nr art. RS:: 919-4949
Nr części producenta:: IRF7389PBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: TH

Szczegółowe dane produktu

Podwójny MOSFET o mocy N/P, Infineon

Infineon tranzystory MOSFET o podwójnym zasilaniu integrują dwa urządzenia HEXFET®, aby zapewnić oszczędność miejsca i ekonomiczne rozwiązania przełączania w konstrukcjach o dużej gęstości składników, gdzie przestrzeń płyty jest bardzo duża. Dostępne są różne opcje pakietów, a projektanci mogą wybrać konfigurację dwukanałową N/P.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu	5,3 A; 7,3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Typ opakowania	SOIC
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło	29 mΩ, 58 mΩ
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	1V
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	2,5 W
Konfiguracja tranzystora	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Liczba elementów na układ	2
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	22 nC przy 10 V, 23 nC przy 10 V
Długość	5mm
Materiał tranzystora	Si
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Szerokość	4mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Seria	HEXFET
Wysokość	1.5mm

Nr art. RS:: 919-4949
Nr części producenta:: IRF7389PBF
Producent:: Infineon