MOSFET N-kanałowy 80 A TO-220 55 V Pojedynczy 300 W 7 mΩ
- Nr art. RS:
- 920-6597
- Nr części producenta:
- STP80NF55-06
- Producent:
- STMicroelectronics
1200 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
12,01 zł
(bez VAT)
14,77 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 12,01 zł | 600,30 zł |
| 100 - 150 | 10,55 zł | 527,65 zł |
| 200 - 450 | 10,27 zł | 513,25 zł |
| 500 - 950 | 10,00 zł | 500,05 zł |
| 1000 + | 9,76 zł | 488,05 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 920-6597
- Nr części producenta:
- STP80NF55-06
- Producent:
- STMicroelectronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
Tranzystory MOSFET STripFET™ o szerokim zakresie napięć zasilających zapewniają bardzo niski poziom naładowania bramki i niską rezystancję.
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 80 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 55 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 7 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 300 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Długość | 10.4mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 142 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.6mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 9.15mm |
| Seria | STripFET II |
- Nr art. RS:
- 920-6597
- Nr części producenta:
- STP80NF55-06
- Producent:
- STMicroelectronics