MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 600 V Pojedynczy 192 W 290 mΩ
- Nr art. RS:
- 920-8736
- Nr części producenta:
- STP20NM60FD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 04.12.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
21,81 zł
(bez VAT)
26,82 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 21,81 zł | 1 090,40 zł |
| 100 - 450 | 17,49 zł | 874,50 zł |
| 500 - 950 | 15,48 zł | 774,20 zł |
| 1000 - 4950 | 13,06 zł | 653,15 zł |
| 5000 + | 12,58 zł | 629,15 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 920-8736
- Nr części producenta:
- STP20NM60FD
- Producent:
- STMicroelectronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystor zasilający MOSFET, STMicroelectronics, N-Channel FDsiatex™
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 20 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 290 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 192 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Szerokość | 4.6mm |
| Długość | 10.4mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 37 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Seria | FDmesh |
| Minimalna temperatura robocza | -65°C |
| Wysokość | 9.15mm |
- Nr art. RS:
- 920-8736
- Nr części producenta:
- STP20NM60FD
- Producent:
- STMicroelectronics