MOSFET N-kanałowy 55 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD Pojedynczy 95 W 20 miliomów
- Nr art. RS:
- 920-8792
- Nr części producenta:
- STB55NF06LT4
- Producent:
- STMicroelectronics
1000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (1000 na rolce)
3,66 zł
(bez VAT)
4,50 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 1000 + | 3,66 zł | 3 657,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 920-8792
- Nr części producenta:
- STB55NF06LT4
- Producent:
- STMicroelectronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
Tranzystory MOSFET STripFET™ o szerokim zakresie napięć zasilających zapewniają bardzo niski poziom naładowania bramki i niską rezystancję.
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 55 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Seria | STripFET II |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 20 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 95 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -16 V, +16 V |
| Szerokość | 10.4mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 27 nC przy 4,5 V |
| Długość | 10.75mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 4.6mm |
- Nr art. RS:
- 920-8792
- Nr części producenta:
- STB55NF06LT4
- Producent:
- STMicroelectronics