Układ Darlingtona NPN 60 V 8 A TIP120G HFE 1000 TO-220 3-Pin Pojedynczy
- Nr art. RS 103-5146
- Nr części producenta TIP120G
- Producent ON Semiconductor
Tranzystory NPN Darlington, ON Semiconductor
Normy
Numery części producenta z przedrostkiem S lub NSV są przeznaczone dla motoryzacji zgodnie ze standardem AEC-Q101.
ON Semiconductor TIP120G to tranzystor mocy średniej NPN Darlington do bipolar Power Transit. Jest on przeznaczony do wykorzystania jako urządzenie wyjściowe do zastosowań wzmacniacza ogólnego przeznaczenia i przełączania z małą prędkością.
Końcówka TIP120G jest dostarczana w plastikowym pakiecie TO-220AB z otworami przelotowymi.
• Wzmocnienie wysokiego prądu stałego
• Niskie napięcie nasycenia emitera przez kolektor
• Konstrukcja Monolithic
• Wbudowany opornik bocznikowy podstawy
• Kompaktowy zestaw
• NPN biegunowość
Dostępne wersje:
774-3653 - 10 sztuk w opakowaniu
103-5146 - rurka 50
| Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ tranzystora | NPN |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 8 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 60 V |
| Maksymalne napięcie emiter-baza | 5 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Minimalne wzmocnienie prądu DC | 1000 |
| Maksymalne napięcie kolektor-baza | 60 V |
| Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter | 4 V |
| Maksymalny prąd odcięcia kolektora | 0.5mA |
| Długość | 15.75mm |
| Minimalna temperatura robocza | -65°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Szerokość | 10.28mm |
| Wysokość | 4.82mm |
| Wymiary | 15.75 x 10.28 x 4.82mm |
| Maksymalna strata mocy | 65 W |
