- Nr art. RS:
- 186-7440
- Nr części producenta:
- TIP121G
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 08.07.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
3,50 zł
(bez VAT)
4,31 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Tube* |
50 - 50 | 3,50 zł | 175,05 zł |
100 - 450 | 2,45 zł | 122,55 zł |
500 - 950 | 2,12 zł | 106,05 zł |
1000 - 2450 | 1,80 zł | 90,10 zł |
2500 + | 1,79 zł | 89,65 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 186-7440
- Nr części producenta:
- TIP121G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Tranzystor mocy Darlington Bipolar Power Transistor został zaprojektowany do zastosowań wzmacniaczy ogólnych i przełączania z małą prędkością. Końcówki120, TIP121, TIP122 (NPN), TIP125, TIP126, TIP127 (PNP) stanowią urządzenia uzupełniające.
Wysokie wzmocnienie prądu stałego - hFE = 2500 (standard) @ IC = 4.0 ADC
Kalector-Emitter podtrzymania napięcia przy 100 mA
VCEO(sus) = 60 V DC (min) TIP120, TIP125
VCEO(sus) = 80 V DC (min) TIP121, TIP126
VCEO(sus) = 100 V DC (min) TIP122, TIP127
Niskie napięcie nasycenia kolektor-emiter
VCE(SAT) = 2,0 Vdc (maks.) @ IC= 3,0 ADC = 4,0 Vdc (maks.) @ IC= 5,0 ADC
Monolityczna konstrukcja z wbudowanymi rezystorami bocznikowymi base-Emitter
Zestaw KOMPAKTOWY TO-220 AB
Kalector-Emitter podtrzymania napięcia przy 100 mA
VCEO(sus) = 60 V DC (min) TIP120, TIP125
VCEO(sus) = 80 V DC (min) TIP121, TIP126
VCEO(sus) = 100 V DC (min) TIP122, TIP127
Niskie napięcie nasycenia kolektor-emiter
VCE(SAT) = 2,0 Vdc (maks.) @ IC= 3,0 ADC = 4,0 Vdc (maks.) @ IC= 5,0 ADC
Monolityczna konstrukcja z wbudowanymi rezystorami bocznikowymi base-Emitter
Zestaw KOMPAKTOWY TO-220 AB
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ tranzystora | NPN |
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 5 A DC |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 80 V DC |
Maksymalne napięcie emiter-baza | 5 V DC |
Typ opakowania | TO-220 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Konfiguracja | Pojedyncza |
Liczba elementów na układ | 1 |
Minimalne wzmocnienie prądu DC | 1000 |
Maksymalne napięcie kolektor-baza | 80 V DC |
Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter | 4 V DC |
Szerokość | 4.83mm |
Maksymalna strata mocy | 65 W |
Minimalna temperatura robocza | -65°C |
Wysokość | 15.75mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Wymiary | 10.53 x 4.83 x 15.75mm |
Długość | 10.53mm |