Tranzystor Darlingtona PNP 120 V Otwór przezierny TO-204 Pojedynczy
- Nr art. RS:
- 688-1502
- Nr części producenta:
- MJ11015G
- Producent:
- onsemi
34 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
212 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
36,05 zł
(bez VAT)
44,34 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 8 | 36,05 zł | 72,10 zł |
| 10 - 98 | 31,02 zł | 62,04 zł |
| 100 - 198 | 25,76 zł | 51,51 zł |
| 200 - 498 | 24,30 zł | 48,60 zł |
| 500 + | 22,66 zł | 45,31 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 688-1502
- Nr części producenta:
- MJ11015G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory typu PnP Darlington, ON Semiconductor
Normy
Numery części producenta z przedrostkiem S lub NSV są przeznaczone dla motoryzacji zgodnie ze standardem AEC-Q101.
Na ON Semiconductor MJ11015G jest 30A, 120V PNP Darlingtona bipolarny tranzystor mocy. Został on zaprojektowany tak, aby być stosowane jako urządzenie wyjściowe dla ogólnego zastosowania wzmacniacza.
MJ11015G dostarczany jest w Pb-free DO-204AA (do-3) choć otwór opakowaniu.
• Wysoki prąd DC Gain
• Monolityczną konstrukcję
• Wbudowana baza emiter rezystora bocznikowego
• Temperatura załączania: do +200°C
• Polaryzacja PNP
MJ11015G dostarczany jest w Pb-free DO-204AA (do-3) choć otwór opakowaniu.
• Wysoki prąd DC Gain
• Monolityczną konstrukcję
• Wbudowana baza emiter rezystora bocznikowego
• Temperatura załączania: do +200°C
• Polaryzacja PNP
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ tranzystora | PNP |
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 30 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 120 V |
| Maksymalne napięcie emiter-baza | 5 V |
| Typ opakowania | TO-204 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Minimalne wzmocnienie prądu DC | 200 |
| Maksymalne napięcie nasycenia baza-emiter | 5 V |
| Maksymalne napięcie kolektor-baza | 120 V |
| Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter | 4 V |
| Szerokość | 26.67mm |
| Wymiary | 39.37 x 26.67 x 8.51mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Długość | 39.37mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +200 °C |
| Wysokość | 8.51mm |
- Nr art. RS:
- 688-1502
- Nr części producenta:
- MJ11015G
- Producent:
- onsemi