- Nr art. RS:
- 812-0528
- Nr części producenta:
- ATF-53189-BLK
- Producent:
- Broadcom
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 812-0528
- Nr części producenta:
- ATF-53189-BLK
- Producent:
- Broadcom
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
GaAs tranzystory RF FET, Avago Technologies
Tranzystory RF GaAs FET idealnie nadają się do pierwszego lub drugiego stopnia wzmacniaczy niskoszumowy stacji bazowej (LNA). Dane techniczne wykazują doskonałe połączenie niskiego poziomu hałasu i zwiększonej liniowości. Te tranzystory RF GaAs MESFET firmy Avago Technologies są przeznaczone do użytku w sieciach bezprzewodowych i o wysokiej częstotliwości.
MESFET Transistors, Avago Technologies
Metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs) offer better high-frequency performance than their JFET and MOSFET counterparts. They are frequently used in low-noise front-end RF amplifiers and microwave receivers.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ wzmacniacza | Wzmacniacz liniowy, niski poziom szumów, wzmacniacz mocy |
Typowe wzmocnienie | 17,2 dB |
Typowa moc wyjściowa | 23dBm |
Typowy współczynnik szumów | 0.85dB |
Liczba kanałów na układ | 1 |
Maksymalna częstotliwość robocza | 6 GHz |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Typ opakowania | SOT-89 |
Liczba styków | 3 |
Wymiary | 4.6 x 2.6 x 1.6mm |
Wysokość | 1.6mm |
Długość | 4.6mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Szerokość | 2.6mm |
- Nr art. RS:
- 812-0528
- Nr części producenta:
- ATF-53189-BLK
- Producent:
- Broadcom