MOSFET P-kanałowy 5.3 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 2.5 W 50 miliomów

Nr art. RS:: 671-0750
Nr części producenta:: FDS9435A
Producent:: onsemi

MOSFET P-kanałowy 5.3 A SOIC 30 V SMD Pojedynczy 2.5 W 50 miliomów

20 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

90 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Dodano do koszyka

Zobacz koszyk

Cena netto za szt. (opak. á 10)

2,47 zł

(bez VAT)

3,03 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
10 - 40	2,47 zł	24,66 zł
50 - 90	2,36 zł	23,63 zł
100 - 240	1,50 zł	15,03 zł
250 - 490	1,44 zł	14,36 zł
500 +	1,38 zł	13,77 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 671-0750
Nr części producenta:: FDS9435A
Producent:: onsemi

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

PowerTrench® P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor

Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET tworzą ekranowaną strukturę, która zapewnia równowagę opłat. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż poprzednich generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® pozwala wyeliminować obwody tabakowe lub zastąpić wyższy stopień napięcia MOSFET.

.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	P
Maksymalny ciągły prąd drenu	5.3 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Seria	PowerTrench
Typ opakowania	SOIC
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło	50 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	2.5 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-25 V, +25 V
Materiał tranzystora	Si
Liczba elementów na układ	1
Maksymalna temperatura robocza	+175 °C
Długość	5mm
Szerokość	4mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	10 nC przy 10 V
Minimalna temperatura robocza	-55 °C
Wysokość	1.5mm

Nr art. RS:: 671-0750
Nr części producenta:: FDS9435A
Producent:: onsemi