MOSFET N-kanałowy 11 A TO-220F 660 V Pojedynczy 49 W 550 miliomów
- Nr art. RS:
- 871-4915
- Nr części producenta:
- MDF11N60BTH
- Producent:
- MagnaChip
Ten produkt jest niedostępny.
Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 10)
4,15 zł
(bez VAT)
5,11 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 10 - 40 | 4,15 zł | 41,54 zł |
| 50 - 90 | 3,82 zł | 38,21 zł |
| 100 - 240 | 3,59 zł | 35,91 zł |
| 250 - 490 | 3,30 zł | 33,03 zł |
| 500 + | 3,04 zł | 30,42 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 871-4915
- Nr części producenta:
- MDF11N60BTH
- Producent:
- MagnaChip
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o wysokim napięciu (HV)
Tranzystor MOSFET o wysokim napięciu, z niskim stopniem rezystancji i wysoką wydajnością przełączania.
.
Tranzystory MOSFET, MagnaChip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 11 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 660 V |
| Typ opakowania | TO-220F |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 550 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
| Maksymalna strata mocy | 49 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 38,4 nC przy 10 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 10.71mm |
| Szerokość | 4.93mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.4V |
| Wysokość | 16.13mm |
- Nr art. RS:
- 871-4915
- Nr części producenta:
- MDF11N60BTH
- Producent:
- MagnaChip