Dioda DPAK (TO-252) 33A Montaż powierzchniowy 1200VDioda Schottky'ego SiC Dioda Schottky'ego SiC Pojedyncza C4D10120E

Gama diod Wolfspeed SiC (Silicon Carbide) Schottky'ego oferuje znaczne ulepszenia w stosunku do standardowych diod Schottky'ego. Diody SIC zapewniają o wiele większą odporność pola rozbicia i większą przewodność cieplną w połączeniu ze znacznym zmniejszeniem utraty mocy przy wysokich częstotliwościach przełączania. Diody SIC są doskonałym wyborem w zastosowaniach wymagających wysokiej wydajności, takich jak zasilacze z trybem przełączania i przetwornice z dużą prędkością.

• Napięcie znamionowe 600, 650, 1200 i 1700
• Zerowany prąd przywracania kierunku do tyłu i napięcie przywracania kierunku do przodu
• Niezależny od temperatury tryb przełączania
• Ekstremalnie szybki czas przełączania przy minimalnych stratach
• Dodatni współczynnik temperatury napięcie dla jazdy do przodu
• Urządzenia mogą pracować równolegle bez odprowadzania ciepła
• Zmniejszenie wymagań dotyczących radiatora
• Zoptymalizowany do zastosowania diod wzmacniających układu PFC

Diody i prostowniki Cree Wolfspeed