Fototranzystor QSD124 czuły na IR ±12° THT 5mm onsemi
- Nr art. RS:
- 184-1084
- Nr części producenta:
- QSD124
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 22.05.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w opak. á 250)
1,71 zł
(bez VAT)
2,10 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Bag* |
| 250 - 750 | 1,71 zł | 427,00 zł |
| 1000 - 2250 | 1,19 zł | 296,50 zł |
| 2500 + | 1,16 zł | 290,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 184-1084
- Nr części producenta:
- QSD124
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
QSD122, QSD123, QSD124 to fototranzystor silikonowy enkapsulowany w przezroczystym, czarnym opakowaniu T-1 3/4 w podczerwieni.
Fototranzystor silikonowy NPN
Typ opakowania: T-1 3/4
Wybijak z nacięć: QED12X/QED22X/QED23
Wąski kąt odbioru: 24°C.
Filtr czasu letniego
Materiał i kolor opakowania: Czarny epoksydowy
Wysoka czułość
Zastosowania:
Produkt ten jest przeznaczony do użytku ogólnego i nadaje się do wielu różnych zastosowań.
Typ opakowania: T-1 3/4
Wybijak z nacięć: QED12X/QED22X/QED23
Wąski kąt odbioru: 24°C.
Filtr czasu letniego
Materiał i kolor opakowania: Czarny epoksydowy
Wysoka czułość
Zastosowania:
Produkt ten jest przeznaczony do użytku ogólnego i nadaje się do wielu różnych zastosowań.
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Wykryte spektrum | Podczerwień |
| Typowy czas opadania sygnału | 7µs |
| Typowy czas narastania sygnału | 7µs |
| Liczba kanałów | 1 |
| Maksymalny prąd w ciemności | 100nA |
| Kąt połówkowej czułości | ±12° |
| Liczba styków | 2 |
| Typ montażu | Przewlekany |
| Typ opakowania | T-1 3/4 |
| Wymiary | 6.1 Dia. x 8.77mm |
| Prąd kolektora | 39mA |
| Średnica | 6.1mm |
| Maksymalna wykrywana długość fali | 880nm |
| Zakres spektrum czułości | 880 nm |
| Napięcie emiter-kolektor | 5V |
| Napięcie nasycenia | 0.4V |
| Wysokość | 8.77mm |
| Typ sygnału wyjściowego | Phototransistor |
| Napięcie kolektor-emiter | 30V |