Moduł IGBT Ic 54 A Uce 1200 V AG-EASY2B-1 3-fazy kanał: N 215 W
- Nr art. RS:
- 111-6098
- Nr części producenta:
- FP35R12W2T4BOMA1
- Producent:
- Infineon
8 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
162,04 zł
(bez VAT)
199,31 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 + | 162,04 zł |
- Nr art. RS:
- 111-6098
- Nr części producenta:
- FP35R12W2T4BOMA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Zwolniony
Szczegółowe dane produktu
Moduły IGBT, Infineon
Oferta modułów Infineon firmy IGBT zapewnia niską utratę przełączania przy przełączaniu do 60 kHz.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.
IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięciem emitującym w kolektorze przy napięciu 1200 V, moduły rozdrabniacza półmostkowego PrimePACK IGBT z CTN do 1600/1700V. System PrimePACK IGBT można znaleźć w pojazdach przemysłowych, handlowych, budowlanych i rolniczych. Moduły N-Channel TRENCHSTOP TM i Fieldstop IGBT nadają się do pracy z przełączaniem na twardo i miękkimi przełącznikami, takimi jak przemienniki, zasilacze UPS i napędy przemysłowe.
W skład zestawu wchodzą: Moduły 62 mm, EasyPACK, EconoPACK TM 2/EconoPACK TM 3/EconoPACK TM 4
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 54 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 215 W |
| Typ opakowania | AG-EASY2B-1 |
| Konfiguracja | Mostek 3 fazowy |
| Typ montażu | Montaż na panelu |
| Typ kanału | N |
| Konfiguracja tranzystora | 3-fazy |
| Wymiary | 56.7 x 48 x 12mm |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
- Nr art. RS:
- 111-6098
- Nr części producenta:
- FP35R12W2T4BOMA1
- Producent:
- Infineon