MOSFET N-kanałowy 110 A TO-247AC 55 V Pojedynczy 200 W 8 miliomów
- Nr art. RS:
- 541-0008
- Nr części producenta:
- IRFP064NPBF
- Producent:
- Infineon
5 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
82 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
4,68 zł
(bez VAT)
5,76 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 + | 4,68 zł |
- Nr art. RS:
- 541-0008
- Nr części producenta:
- IRFP064NPBF
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o mocy N-Channel 55 V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 110 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 55 V |
| Typ opakowania | TO-247AC |
| Seria | HEXFET |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 8 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 200 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 5.3mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 15.9mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 170 nC przy 10 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 20.3mm |
- Nr art. RS:
- 541-0008
- Nr części producenta:
- IRFP064NPBF
- Producent:
- Infineon