MOSFET N-kanałowy 3,5 A CPH 30 V SMD Pojedynczy 900 mW 132 mΩ
- Nr art. RS:
- 802-0796
- Nr części producenta:
- CPH5871-TL-H
- Producent:
- ON Semiconductor
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 802-0796
- Nr części producenta:
- CPH5871-TL-H
- Producent:
- ON Semiconductor
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MOSFET z diodą Schottky, ON Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3,5 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | CPH |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 5 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 132 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1.3V |
| Maksymalna strata mocy | 900 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -12 V, +12 V |
| Długość | 2.9mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +125°C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 4,7 nC przy 4,5 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 1.6mm |
| Wysokość | 0.9mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |