MOSFET P-kanałowy 30 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 125 W 75 miliomów

Nr art. RS:: 898-6864
Nr części producenta:: SPD30P06PGBTMA1
Producent:: Infineon

MOSFET P-kanałowy 30 A DPAK (TO-252) 60 V SMD Pojedynczy 125 W 75 miliomów

20 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (opak. á 10)

5,95 zł

(bez VAT)

7,32 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
10 - 40	5,95 zł	59,49 zł
50 - 240	5,64 zł	56,43 zł
250 - 490	4,69 zł	46,85 zł
500 - 1240	4,09 zł	40,91 zł
1250 +	3,26 zł	32,63 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 898-6864
Nr części producenta:: SPD30P06PGBTMA1
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Zwolniony

Szczegółowe dane produktu

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS^® - małe, cyfrowe tranzystory MOSFET z sygnałem P - mają kilka funkcji, które mogą obejmować tryb poprawy, prąd ciągłego spustu o wartości około -80A oraz szeroki zakres temperatur pracy. Tranzystor mocy SIPMOS może być używany w różnych zastosowaniach, w tym w telekomunikacji, eMobility, notebookach, urządzeniach DC/DC, a także w przemyśle motoryzacyjnym.

· Zakwalifikowana opcja AEC Q101 (więcej informacji znajduje się w arkuszu danych)
· bezołowiowe platerowanie, zgodne z dyrektywą RoHS

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	P
Maksymalny ciągły prąd drenu	30 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	60 V
Typ opakowania	DPAK (TO-252)
Seria	SIPMOS
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	75 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy	125 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	32 nC przy 10 V
Szerokość	6.22mm
Liczba elementów na układ	1
Materiał tranzystora	Si
Długość	6.73mm
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Wysokość	2.41mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Napięcie przewodzenia diody	1.7V

Nr art. RS:: 898-6864
Nr części producenta:: SPD30P06PGBTMA1
Producent:: Infineon