Narzędzie rozwojowe z kategorii „komunikacja i łączność bezprzewodowa” Lotnictwo i kosmonautyka, nadawanie, przemysł,

N-kanałowy boczny tranzystor MOSFET o wysokiej wytrzymałości, zaprojektowany do użytku w przemysłowych, medycznych, nadawczych, lotniczych i mobilnych aplikacjach radiowych o wysokim VSWR. Dzięki niezrównanej konstrukcji wejścia i wyjścia, tranzystor ten obsługuje zakres częstotliwości od 1,8 do 400 MHz, co czyni go idealnym do szerokiej gamy zastosowań.

Zaprojektowany do zastosowań przemysłowych, medycznych, nadawczych, lotniczych i mobilnych o wysokim VSWR
Niezrównana konstrukcja wejścia i wyjścia obsługuje szeroki zakres częstotliwości od 1,8 do 400 MHz
Szerokopasmowa moc RF dla doskonałej wydajności
Wysokie napięcie przebicia dla zwiększonej niezawodności
Zintegrowana ochrona ESD dla ulepszonej pracy w klasie C
Nadaje się do stosowania w aplikacjach o wysokim VSWR z doskonałą trwałością