Płytka ewaluacyjna Renesas Electronics Sterownik półmostkowy Płytka ewaluacyjna ISL2111

Płyty Renesas Electronics zostały zaprojektowane w taki sposób, aby zapewnić szybką i kompleksową metodę oceny HIP2211 100V, wysokoczęstotliwościowego sterownika półmostowego do prowadzenia Gates dwóch tranzystorów MOSFET z kanałami N w konfiguracji półmostkowej. Na płytkach ewaluacyjnych znajdują się dwa tranzystory MOSFET N (o podwójnej powierzchni podstawy, obsługujące wiele pakietów, takich jak TO220 i DPAK) oraz filtr LC z pojemnikiem indukcyjnym, umożliwiający ocenę obciążenia połówkowego mostka, takiego jak synchroniczny regulator przełączający. HIP2211 sterownik półmostka jest oferowany w pakiecie 8 ld SOIC, 8 ld DFN lub 10 ld DFN (z rozszerzonym EPAD termicznym). Ta płytka ewaluacyjna jest przeznaczona do pakietu 10 ld DFN. Pakiet 8 ld DFN może również zmieścić się na tej płycie. Obie płyty działają od napięcia zasilania 6V do 18V DC z możliwością prowadzenia zarówno tranzystorów MOSFET wysokiej, jak i niskiej strony w konfiguracji półmostkowej 100V.

3A źródła i 4A zlew NMOS sterowniki bramy
Wewnętrzny przełącznik poziomu i dioda bootstrap dla sterownika bramki po stronie wysokiej NFET
Do 100 V napięcia odniesienia po stronie wysokiego napięcia
Zasilanie napięciem wstępnym od 6 V do 18 V.
Szybkie 15ns typowe opóźnienie rozmnażania i 2ns typowe opóźnienie rozmnażania obsługuje do 1MHz pracy