Moduł sterownika bramki Infineon Sterownik bramki MOSFET Płytka ewaluacyjna Płytka główna ewaluacyjna 2ED2410-EM 24 V

Ta płytka córka należy do rodziny płytek ewaluacyjnych, które można łączyć z płytką główną ewaluacyjną 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M). Te płytki córkowe są używane do obsługi różnych układów MOSFET i shuntów typowo występujących w nowoczesnych dystrybucjach zasilania samochodowego do sieci płytek 12 i 24 V.

Ta płytka córka EB 2ED2410 3D 1BCS jest adresowana do jednego kanału obciążenia i składa się z dwóch MOSFETów mocy 60 V OptiMOSTM5 (1,1 mOhm) w konfiguracji wspólnego źródła back2back.

•EB 2ED2410 3D 1BCD: 60 V OptiMOSTM5 Power MOSFET (1,1 mOhm), back2back - wspólny drenaż, 0,5 mOhm shunt

•EB 2ED2410 3D 1BCDP: 60 V OptiMOSTM5 Power MOSFET (1,1 mOhm), back2back – wspólny drenaż, 0,5 mOhm shunt, z wstępnym ładowaniem

•EB 2ED2410 3D 1BCSP: 60 V OptiMOSTM5 Power MOSFET (1,1 mOhm), back2back – wspólne źródło, 0,5 mOhm shunt, z wstępnym ładowaniem

•Odpowiednie do sieci płytki 12 i 24 V

•W połączeniu z płytą główną ewaluacyjną 2ED2410-EM 24 V (EB 2ED2410 3M)

•Rezystor shunt 0,5 mOhm

•MOSFET mocy 60 V OptiMOSTM5 (1,1 ohm) odpowiedni do sieci płytek 12 i 24 V

•Monitorowanie temperatury MOSFET z rezystorami NTC

•Prąd znamionowy do 20 A ciągły lub 30 A przez 10 min