Pamięć FRAM 16kbit FM25L16B-GTR SPI 8-pinowy SOIC

Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 5 sztuk/i)*

30,31 zł

(bez VAT)

37,28 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Dodatkowe 22 szt. dostępne od 08 grudnia 2025
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Opakowanie (-a)
Za Opakowanie
Za jednostkę*
1 - 930,31 zł6,062 zł
10 - 2425,29 zł5,058 zł
25 - 4922,73 zł4,546 zł
50 - 9921,51 zł4,302 zł
100 +20,43 zł4,086 zł

*cena orientacyjna

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
184-0068
Nr części producenta:
FM25L16B-GTR
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Rozmiar pamięci

16kbit

Organizacja

2K x 8 bitów

Typ złącza

SPI

Szerokość magistrali danych

8bit

Maksymalny czas dostępu swobodnego

20ns

Typ montażu

Montaż powierzchniowy

Typ opakowania

SOIC

Liczba styków

8

Wymiary

4.97 x 3.98 x 1.48mm

Długość

4.97mm

Maksymalne robocze napięcie zasilania

3,6 V

Szerokość

3.98mm

Wysokość

1.48mm

Maksymalna temperatura robocza

+85°C

Liczba bitów w słowie

8bit

Minimalne robocze napięcie zasilania

2,7 V

Minimalna temperatura robocza

-40°C

Liczba słów

2K

Norma motoryzacyjna

AEC-Q100

16-kilobitowa ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym (F-RAM) logicznie zorganizowana w układzie 2K x 8
100 bilionów (1014) odczytu/zapisu
Przechowywanie danych przez 151 lata (zobacz Przechowywanie danych i trwałość na stronie 12)
Funkcja NOpóźnienie™ zapisuje
Advanced o wysokiej niezawodności proces ferroelektryczny
Bardzo szybki interfejs szeregowy (SPI)
Częstotliwość do 20 MHz.
Bezpośrednia wymiana sprzętu dla szeregowej pamięci flash i EEPROM
Obsługa trybu SPI 0 (0, 0) i trybu 3 (1, 1)
Zaawansowany system ochrony przed zapisem
Zabezpieczenie sprzętowe z użyciem styku Write Protect (WP)
Ochrona oprogramowania przy użyciu instrukcji Write Disable
Ochrona bloku oprogramowania dla macierzy 1/4, 1/2 lub całej
Niski pobór mocy
200 μA prąd aktywny przy 1 MHz.
3 μA (typowo) prądu w trybie czuwania
Praca pod niskim napięciem: VDD = 2,7 V do 3,6 V.
Temperatura przemysłowa: -40 °C do +85 °C.
Opakowania
Pakiet 8-stykowego układu scalonego o małej konturze (SOIC)
Pakiet 8-stykowych cienkich, podwójnych przewodów bez odprowadzeń (DFN)

.


Powiązane linki