RAM, 4 GB, DDR4, gniazdo: SODIMM, 1.2V
- Nr art. RS:
- 195-8316
- Nr części producenta:
- KVR32S22S6/4
- Producent:
- Kingston
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 21.06.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Cena netto za szt.
164,14 zł
(bez VAT)
201,89 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 + | 164,14 zł |
- Nr art. RS:
- 195-8316
- Nr części producenta:
- KVR32S22S6/4
- Producent:
- Kingston
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Kingston Value RAM KVR32S22S6/4 jako pamięć SDRAM 512 MB x 64 bity (4 GB) DDR4-3200 CL22 (Synchronous DRAM), 1Rx16, moduł pamięci, na podstawie czterech 16-bitowych składników FBGA o rozmiarze 512M x. SPD jest zaprogramowany tak, aby opóźnia DDR4-3200 w czasie 22-22-22 przy 1,2 V. Ten 260-stykowy SODIMM wykorzystuje złote palce kontaktowe
Zasilacz: VDD = 1,2 V typowy
VDDQ = 1,2 V typowe
Vpp = 2,5 V typowo
VDDSPD = 2,2V DO 3,6V
Nominalna i dynamiczna funkcja ODT (on-Die termination) dla sygnałów danych, stroboskopu i maski
Automatyczne odświeżanie przy niskim poborze mocy (LPASR)
Odwrócenie magistrali danych (DBI) dla magistrali danych
Generowanie i kalibracja VREFDQ w matrycy
Jedno-ranking
Wbudowany EEPROM szeregowy I2 (SPD)
8 banków wewnętrznych, po 2 grupy po 4 banki
Stały tryb rozdrabniania na rozerwanie (BC) o długości 4 i długości impulsu (BL) 8 za pośrednictwem zestawu rejestru trybów (MRS)
Możliwość wyboru trybu pracy BC4 lub BL8 (OTF)
Topologia „fly-by”
Przerwano sterowanie i magistralę adresową
PCB: Wysokość 30,00 mm (1,18 cala)
Bez halogenów
VDDQ = 1,2 V typowe
Vpp = 2,5 V typowo
VDDSPD = 2,2V DO 3,6V
Nominalna i dynamiczna funkcja ODT (on-Die termination) dla sygnałów danych, stroboskopu i maski
Automatyczne odświeżanie przy niskim poborze mocy (LPASR)
Odwrócenie magistrali danych (DBI) dla magistrali danych
Generowanie i kalibracja VREFDQ w matrycy
Jedno-ranking
Wbudowany EEPROM szeregowy I2 (SPD)
8 banków wewnętrznych, po 2 grupy po 4 banki
Stały tryb rozdrabniania na rozerwanie (BC) o długości 4 i długości impulsu (BL) 8 za pośrednictwem zestawu rejestru trybów (MRS)
Możliwość wyboru trybu pracy BC4 lub BL8 (OTF)
Topologia „fly-by”
Przerwano sterowanie i magistralę adresową
PCB: Wysokość 30,00 mm (1,18 cala)
Bez halogenów
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Pojemność | 4 GB |
| Nastawa | 3200MHz |
| Klasa pamięci | DDR4 |
| Gniazdo pamięci | SODIMM |
| Styki | 260 |
| Napięcie | 1.2V |
| Opóźnienie CAS | 22 |