Pamięć SRAM 4Mbit montaż Otwór przezierny 36 -pinowy 512k x 8 bitów SOJ 100MHz

CY7C1049G i CY7C1049GE to wydajne, szybkie statyczne urządzenia pamięci RAM CMOS z wbudowaną funkcją ECC. Oba urządzenia są dostępne w konfiguracji z jednym lub dwoma mikroukładem oraz w konfiguracji z wieloma stykami. Urządzenie CY7C1049GE posiada styk ERR, który sygnalizuje zdarzenie wykrycia błędu i korekcji podczas cyklu odczytu. Zapis danych odbywa się przez podanie niskiego sygnału wejściowego włączenia układu (CE) i włączenia zapisu (WE), zapewniając jednocześnie dane na stykach i/O0do i/O7 oraz adres A0 przez A18. Odczyty danych są wykonywane przez podanie NISKIEGO sygnału wejściowego włączenia układu (CE) i włączenia wyjścia (OE) oraz podanie wymaganego adresu w liniach adresowych. Odczyt danych jest dostępny w liniach we/wy (i/O0 do i/O7).

Duża szybkość transmisji
TAA = 10 ns
Wbudowana technologia ECC do jednobitowej korekcji błędów[1, 2]
Niskie prądy aktywne i rezerwowe
Prąd aktywny: ICC = typowo 38 ma
Prąd w trybie gotowości: Standardowo ISB2 = 6 ma
Zakres napięcia roboczego: Od 1,65 V do 2,2 V, od 2,2 V do 3,6 V i od 4,5 V do 5,5 V.
Przechowywanie danych 1,0 V.
Wejścia i wyjścia zgodne z TTL
Wskazanie błędu (ERR) pin sygnalizujący wykrycie i korektę błędu 1-bitowego
36-stykowe pakiety SOJ bez PB i 44-stykowe pakiety TSOP II