Pamięć SRAM 1Mbit Montaż powierzchniowy 32 -pinowy 128k x 8 bitów SOJ 1MHz

Łatwa rozbudowa pamięci jest zapewniana przez aktywne sterowniki NISKIEGO poziomu chipu (CE), aktywnego niskiego poziomu wyjściowego (OE) oraz sterowniki trójstanowe. To urządzenie jest wyposażone w funkcję automatycznego wyłączania, która znacznie zmniejsza pobór mocy po wyłączeniu. Zapisywanie do urządzenia odbywa się poprzez pobranie SYGNAŁÓW wejściowych włączenia układu (CE) i włączenia zapisu (WE). Dane na ośmiu stykach we/wy (i/O0 do i/O7) są następnie zapisywane w miejscu określonym na stykach adresu (A0 do A16). Odczyt z urządzenia odbywa się poprzez ustawienie NISKIEGO POZIOMU włączenia chipu (CE) i włączenia wyjścia (OE) podczas wymuszania WYSOKIEGO poziomu włączenia zapisu (WE). W tych warunkach na stykach we/wy pojawi się zawartość pamięci określonej przez adresy PIN. Osiem styków wejścia/wyjścia (i/O0 do i/O7) znajduje się w stanie wysokiej impedancji, gdy urządzenie jest wyłączone (CE HIGH), wyjścia są wyłączone (OE HIGH) lub podczas operacji zapisu (CE LOW i WE LOW). Modele CY7C1018DV33/CY7C1019DV33 są dostępne w 32-stykowych, formowanych w szerokiej ołowie, 32-stykowych pakietach TSOP II i 48-kulkowych pakietach VFBGA.