- Nr art. RS:
- 901-5723
- Nr części producenta:
- R1LV1616RBG-5SI#B0
- Producent:
- Renesas Electronics
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
152,34 zł
(bez VAT)
187,38 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit |
1 - 4 | 152,34 zł |
5 - 9 | 148,30 zł |
10 - 24 | 144,52 zł |
25 + | 141,50 zł |
- Nr art. RS:
- 901-5723
- Nr części producenta:
- R1LV1616RBG-5SI#B0
- Producent:
- Renesas Electronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
SRAM o niskim poborze mocy, seria R1LV, Renesas Electronics
Zaawansowane statyczne moduły pamięci RAM niskiego napięcia serii R1LV są odpowiednie do zastosowań w pamięci, gdzie ważne są proste połączenia, praca na bateriach i Advanced Battery Backup.
Jedno źródło zasilania od 2,7 V do 3,6 V
Mały prąd gotowości
Brak zegarów, nie jest wymagane odświeżanie
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
Wyjścia trzystanowe: Lub-tie
Mały prąd gotowości
Brak zegarów, nie jest wymagane odświeżanie
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
Wyjścia trzystanowe: Lub-tie
.
SRAM (Static Random Access Memory)
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Rozmiar pamięci | 16Mbit |
Organizacja | 1 MB x 16 bitów |
Liczba słów | 1M |
Liczba bitów w słowie | 16bit |
Maksymalny czas dostępu swobodnego | 55ns |
Niski pobór energii | Tak |
Typ pomiaru czasu | Asynchroniczne |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Typ opakowania | FBGA |
Liczba styków | 48 |
Wymiary | 7.5 x 8.5 x 0.8mm |
Wysokość | 0.8mm |
Maksymalne robocze napięcie zasilania | 3,6 V |
Maksymalna temperatura robocza | +85°C |
Długość | 7.5mm |
Minimalne robocze napięcie zasilania | 2,7 V |
Minimalna temperatura robocza | -40°C |
Szerokość | 8.5mm |
- Nr art. RS:
- 901-5723
- Nr części producenta:
- R1LV1616RBG-5SI#B0
- Producent:
- Renesas Electronics