- Nr art. RS:
- 901-5761P
- Nr części producenta:
- R1RW0408DGE-2PR#B0
- Producent:
- Renesas Electronics
Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (w tubie)
56,79 zł
(bez VAT)
69,85 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit |
5 - 9 | 56,79 zł |
10 - 14 | 55,32 zł |
15 - 29 | 53,86 zł |
30 + | 52,53 zł |
- Nr art. RS:
- 901-5761P
- Nr części producenta:
- R1RW0408DGE-2PR#B0
- Producent:
- Renesas Electronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
SRAM, seria R1RW, Renesas Electronics o niskim poborze mocy
Seria R1RW to statyczna pamięć RAM najbardziej odpowiednia dla aplikacji, która wymaga dużej szybkości, dużej gęstości pamięci i konfiguracji szerokiego rozmiaru bitów, takich jak pamięć podręczna i pamięć buforowa w systemie.
Pojedyncze źródło zasilania 3,3 V
Czas dostępu: 10 ns/12 ns
Nie jest wymagany zegar ani stroboskop synchronizacji
Równy czas dostępu i cyklu
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
Czas dostępu: 10 ns/12 ns
Nie jest wymagany zegar ani stroboskop synchronizacji
Równy czas dostępu i cyklu
Wszystkie wejścia i wyjścia są zgodne z TTL
.
SRAM (Static Random Access Memory)
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Rozmiar pamięci | 4Mbit |
Organizacja | 512K x 8 bitów |
Liczba słów | 512K |
Liczba bitów w słowie | 8bit |
Maksymalny czas dostępu swobodnego | 12ns |
Szerokość magistrali adresowej | 8bit |
Częstotliwość zegara | 1MHz |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Typ opakowania | SOJ |
Liczba styków | 36 |
Wymiary | 23.62 x 10.29 x 3.05mm |
Wysokość | 3.05mm |
Maksymalne robocze napięcie zasilania | 3,6 V |
Minimalna temperatura robocza | 0°C |
Minimalne robocze napięcie zasilania | 3 V |
Szerokość | 10.29mm |
Długość | 23.62mm |
Maksymalna temperatura robocza | +70°C |
- Nr art. RS:
- 901-5761P
- Nr części producenta:
- R1RW0408DGE-2PR#B0
- Producent:
- Renesas Electronics