Sterownik bramki MOSFET 16-pinowy SOIC NCP51561BADWR2G 5V

Izolowany STEROWNIK BRAMKI WYSOKIEGO prądu IGBT/MOSFET ON Semiconductor jest jednokanałowa. Przetworniki bramkowe IGBT/MOSFET z wewnętrzną izolacją galwaniczną 5 kVrms, zaprojektowane z myślą o wysokiej wydajności i niezawodności systemu w zastosowaniach wymagających dużej mocy. Urządzenia akceptują wejścia uzupełniające i w zależności od konfiguracji styków oferują opcje takie jak aktywny zacisk Miller (wersja A/D/F), ujemny zasilacz (wersja B) oraz oddzielne wyjścia sterownika wysokiego i niskiego (WERSJA C/E) dla wygody projektowania systemu. Sterownik obsługuje szeroki zakres napięcia wstępnego i poziomów sygnału wejściowego od 3,3 V do 20 V i jest dostępny w wersji SOIC-8 dla szerokiego ciała.

Wysokie natężenie prądu wyjściowego Peak (+6.5 A/-6.5 A)
Niski spadek napięcia zacisku eliminuje konieczność stosowania ujemnego źródła zasilania, aby zapobiec włączeniu klapy czyszczonej (wersja A/D/F)
Krótkie opóźnienia rozchodzenia się z dokładnym dopasowaniem
Zacisk bramki IGBT/MOSFET podczas zwarcia
Aktywna bramka IGBT/MOSFET, rozwijana w dół
Ścisłe progi UVLO dla elastyczności Bias
Szeroki zakres napięcia wstępnego, w tym ujemny VEE2 (wersja B)
Wejście logiczne 3.3 V, 5 V i 15 V.
Izolacja galwaniczna 5 kVrms
Wysoka odporność na stany nieustalony
Wysoka odporność elektromagnetyczna