Sterownik bramki MOSFET 8-pinowy SOIC NCV57081ADR2G 22V

Jednokanalikowe przetworniki bramkowe IGBT/MOSFET ON Semiconductor o wysokim natężeniu z wewnętrzną izolacją galwaniczną 3.75 kVrms, zaprojektowane z myślą o wysokiej wydajności i niezawodności systemu w zastosowaniach wymagających dużej mocy. Urządzenia akceptują wejścia uzupełniające i w zależności od konfiguracji pinów oferują opcje takie jak aktywny zacisk Miller (wersja A), ujemny zasilacz (wersja B) i oddzielne wyjścia sterownika wysokiego i niskiego (WERSJA C) dla wygody projektowania systemu. Sterownik obsługuje szeroki zakres napięcia wstępnego i poziomów sygnału wejściowego od 3.3 V do 20 V i jest dostępny w wersji SOIC-8 o wąskim korpusie.

Wysokie natężenie prądu wyjściowego Peak (+6.5 A/-6.5 A)
Niski spadek napięcia zacisku eliminuje konieczność stosowania energii ujemnej
Zasilanie zapobiegające włączeniu klapy spalin (wersja A)
Krótkie opóźnienia rozchodzenia się z dokładnym dopasowaniem
Zacisk bramki IGBT/MOSFET podczas zwarcia
Aktywna bramka IGBT/MOSFET, rozwijana w dół
Ścisłe progi UVLO dla elastyczności Bias
Szeroki zakres napięcia wstępnego, w tym ujemny VEE2 (wersja B)
Wejście logiczne 3.3 V, 5 V i 15 V.
3.75 kVRMS Viso (i-o) (w celu spełnienia UL1577 wymagań)