Moduł sterownika bramki SOIC 16W IRS2113STRPBF CMOS, LSTTL

Sterowniki Infineon High-Speed Power MOSFET i IGBT o wysokim napięciu i dużej prędkości z niezależnymi kanałami wyjściowymi referencyjnymi High-Side i Low-Side. Własne technologie HVIC i CMOS odporne na blokadę umożliwiają wytrzymałą konstrukcję monolityczną. Wejścia logiczne są kompatybilne ze standardowym wyjściem CMOS lub LSTTL, aż do logiki 3,3 V. Sterowniki wyjściowe są wyposażone w wysoki poziom buforu prądu impulsowego zaprojektowany z myślą o minimalnym przewodzeniu krzyżowym sterownika. Opóźnienia rozprzestrzeniania się są dopasowane w celu uproszczenia użytkowania w zastosowaniach o wysokiej częstotliwości. Pływający kanał może być używany do sterowania kanałem N MOSFET mocy lub IGBT w konfiguracji High-Side, która działa do 500 V lub 600 V.

Zakres napięcia zasilania napędu bramki od 10 V do 20 V
Blokada podnapięciowa dla obu kanałów
Zgodność z logiką 3,3 V
Oddzielny zakres zasilania logicznego od 3,3 V do 20 V
Zasilanie i uziemienie logiczne ±5 V offset
Wejścia CMOS wyzwalane przez Schmitta z funkcją ściągania
Logika wyłączania cyklu po cyklu wyzwalana przez krawędź
Dopasowane opóźnienie propagacji dla obu kanałów
Wyjścia w fazie z wejściami