Moduł sterownika bramki SOIC 14N IRS21814STRPBF CMOS, LSTTL

Sterowniki Infineon High-Speed Power MOSFET i IGBT o wysokim napięciu i dużej prędkości z niezależnymi kanałami wyjściowymi referencyjnymi High-Side i Low-Side. Własne technologie HVIC i CMOS odporne na blokadę umożliwiają wytrzymałą konstrukcję monolityczną. Wejście logiczne jest kompatybilne ze standardowym wyjściem CMOS lub LSTTL, aż do logiki 3,3 V. Sterowniki wyjściowe są wyposażone w wysoki poziom buforu prądu impulsowego zaprojektowany z myślą o minimalnym przewodzeniu krzyżowym sterownika. Pływający kanał może być używany do sterowania kanałem N MOSFET mocy lub IGBT w konfiguracji High-Side, która działa do 600 V.

Zakres napięcia zasilania napędu bramki od 10 V do 20 V
Blokada podnapięciowa dla obu kanałów
Zgodność z logiką wejściową 3,3 V i 5 V
Dopasowane opóźnienie propagacji dla obu kanałów
Zasilanie logiczne i uziemienie +/- 5 V offset
Mniejszy napęd bramki di/dt zapewniający lepszą odporność na zakłócenia
Zdolność prądu wyjściowego źródła/dławika 1,4 A/1,8 A
Zgodność z RoHS