ATF-54143-BLKG, HEMT 120 mA 5 V 4-Pin SOT-343
- Nr art. RS:
- 450-783
- Nr części producenta:
- ATF-54143-BLKG
- Producent:
- Broadcom
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 450-783
- Nr części producenta:
- ATF-54143-BLKG
- Producent:
- Broadcom
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
Kanał N HEMT, Avago Technologies
Tranzystor o wysokiej mobilności elektron (HEMT, znany również jako FET o strukturze hetero lub hetero-skrzyżowaniu) jest łącznikiem FET wykorzystującym dwa materiały o różnych szczelinach pasmowych (tj. hetero-skrzyżowaniu) jako kanał zamiast domieszkowanego obszaru stosowanego w MOSFET. Tranzystory HEMT charakteryzują się wysoką częstotliwością i są zwykle stosowane w zastosowaniach RF o niskim poziomie szumów i małym sygnale.
Wszystkie określenia HEMT, HFET, HJ-FET i MODFET są używane do opisu tranzystorów tego typu.
PHEMT lub pseudomorphic-HEMT jest wariantem podstawowego typu tranzystora HEMT, przy czym urządzenia E-pHEMT są typami trybu Enhancement.
Wszystkie określenia HEMT, HFET, HJ-FET i MODFET są używane do opisu tranzystorów tego typu.
PHEMT lub pseudomorphic-HEMT jest wariantem podstawowego typu tranzystora HEMT, przy czym urządzenia E-pHEMT są typami trybu Enhancement.
.
Tranzystory JFET
Szereg dyskretnych urządzeń półprzewodnikowych JFET (tranzystor z efektem pozagarnięcia) i HEMT/HFET (tranzystor o wysokiej odporności elektronów/hetero-złączeniowy FET).
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ opakowania | SOT-343 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 4 |
| Minimalna temperatura robocza | -65 °C |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Wymiary | 2.25 x 1.35 x 1mm |