Cyfrowy tranzystor DPAK Montaż powierzchniowy FQD18N20V2TM
- Nr art. RS:
- 186-7399
- Nr części producenta:
- FQD18N20V2TM
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 26.06.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
2,41 zł
(bez VAT)
2,97 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 2500 + | 2,41 zł | 6 030,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 186-7399
- Nr części producenta:
- FQD18N20V2TM
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Tranzystor MOSFET o mocy w trybie optymalizacji kanału N jest produkowany przy użyciu zastrzeżonego pasa i technologii DMOS. Advanced MOSFET został specjalnie zaprojektowany w celu zmniejszenia odporności na zakłócenia stanowe i zapewnienia najwyższej jakości przełączania oraz wysokiej energii lawinowej. Urządzenia te są przystosowane do zasilania w trybie przełączania, czynnej korekcji współczynnika mocy (PFC) i stateczników lamp elektronicznych.
15A, 200V, RDS(włączony) = 140mΩ(maks.) @VGS = 10 V, ID = 7,5A
Niski poziom naładowania bramki ( Typ. 20nC)
Niskie CRS ( typowy 25pF)
Zastosowania
Telewizory LCD
Czujnik ciśnieniowego punktu rosy
Telewizor LED
Niski poziom naładowania bramki ( Typ. 20nC)
Niskie CRS ( typowy 25pF)
Zastosowania
Telewizory LCD
Czujnik ciśnieniowego punktu rosy
Telewizor LED
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ opakowania | DPAK |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Maksymalna strata mocy | 83 W |
| Liczba styków | 2 + Tab |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Wymiary | 6.73 x 6.22 x 2.26mm |