Cyfrowy tranzystor SC-70 Montaż powierzchniowy FDG6321C

Te dwa tranzystory działające w trybie poprawy poziomu logicznego N i P-Channel są produkowane w warunkach polowych przy użyciu opatentowanej technologii DMOS o dużej gęstości komórek. Ten proces o bardzo dużej gęstości został specjalnie zaprojektowany, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu. To urządzenie zostało zaprojektowane specjalnie do zastosowań niskonapięciowych jako zamiennik tranzystorów bipolarnych i małych tranzystorów MOSFET. Ponieważ rezystory diagonalne nie są wymagane, podwójny cyfrowy tranzystor FET może zastąpić kilka różnych tranzystorów cyfrowych o różnych wartościach rezystorów polaryzacyjnych.

N-Ch
0,50 A, 25 V.
RDS(ON) = 0,45 Ω przy VGS= 4,5 V.
RDS(ON) = 0,60 Ω przy VGS= 2,7 V.
P-Ch
-0,41 A, -25 V.
RDS(ON) = 1,1 Ω przy VGS= -4,5 V.
RDS(ON) = 1,5 Ω przy VGS = -2,7 V.
Bardzo mały kontur opakowania SC70-6.
Bardzo niskie wymagania dotyczące napędu bramki umożliwiającej bezpośrednią pracę w obwodach 3 V (VGS(th)< 1,5 V).
Źródło Zenera dla odporności ESD (> 6kV Human Body Model).
Zastosowania
Produkt ten jest przeznaczony do użytku ogólnego i nadaje się do wielu różnych zastosowań.