Tranzystor podwójny NPN 45 V 100 mA 100 MHz HFE 200 SOT-363 (SC-88) SBC847CDW1T1G 6-Pin

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: CN
Szczegółowe dane produktu

Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor

Normy

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Bipolar Transistors, ON Semiconductor

A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Small-Signal Transistors
Power Transistors
Dual Transistors
Darlington Pairs
High-Voltage Transistors
RF Transistors
Bipolar/FET Transistors

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ tranzystora NPN
Maksymalny prąd DC kolektora 100 mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter 45 V
Typ opakowania SOT-363 (SC-88)
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Maksymalna strata mocy 380 mW
Minimalne wzmocnienie prądu DC 200
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Maksymalne napięcie kolektor-baza 50 V
Maksymalne napięcie emiter-baza 6 V
Maksymalna częstotliwość robocza 100 MHz
Liczba styków 6
Liczba elementów na układ 2
Wymiary 2.2 x 1.35 x 1mm
Szerokość 1.35mm
Norma motoryzacyjna AEC-Q101
Wysokość 1mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter 0,6 V
Maksymalne napięcie nasycenia baza-emiter 0,9 V
Długość 2.2mm
15000 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (3000 na rolce)
0,13
(bez VAT)
0,16
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
3000 +
0,13 zł
387,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa