Usługi
Industry Hub
Nowe produkty
Śledź przesyłkę
Zaloguj się
Zaloguj się
/
Zarejestruj się
aby uzyskać dostęp do korzyści
Menu
MPN
Ostatnio wyszukiwane
Dostęp, przechowywanie i przemieszczanie
Elementy złączne i mocujące
Instalacja wodno-kanalizacyjna
Kleje, uszczelniacze i taśmy
Materiały konstrukcyjne i drobne przemysłowe wyroby metalowe
Mechaniczne przeniesienie napędu
Narzędzia elektromechaniczne, lutowanie i spawanie
Narzędzia ręczne
Pneumatyka i hydraulika
Łożyska i uszczelki
Baterie i ładowarki
Elementy pasywne
Ochrona antystatyczna, Pomieszczenia sterylne i tworzenie prototypów płytek drukowanych
Półprzewodniki
Raspberry Pi, Arduino, ROCK i narzędzia rozwojowe
Urządzenia zasilające i transformatory
Wyświetlacze i optoelektronika
Złącza
Automatyka i sterowanie
Bezpieczniki i wyłączniki
HVAC, Wentylatory i systemy zarządzania ciepłem
Kable i przewody
Obudowy i szafy serwerowe
Oświetlenie
Przekaźniki i kondycjonowanie sygnałów
Przełączniki
Artykuły biurowe
Bezpieczeństwo i wyroby żelazne
Bezpieczeństwo pracy
Czyszczenie i konserwacja budynków
Komputery i urządzenia peryferyjne
Osobiste wyposażenie ochronne i odzież robocza
Technika pomiarowa
Półprzewodniki
Elementy dyskretne
Tranzystory bipolarne
Tranzystor PNP SOT-346 (SC-59) 120 V Montaż powierzchniowy 100 mA 2SA1312-BL(TE85L,F
Nr art. RS:
890-2604
Nr części producenta:
2SA1312-BL(TE85L,F
Producent:
Toshiba
Zobacz kategorię
Produkt wycofany
Nr art. RS:
890-2604
Nr części producenta:
2SA1312-BL(TE85L,F
Producent:
Toshiba
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dane techniczne
2SA1312, Silicon PNP Transistor for Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications
ESD Control Selection Guide V1
Zgodne z RoHS
Oświadczenie o zgodności
Kraj pochodzenia:
JP
Tranzystory o małym sygnale PNP, Toshiba
.
Tranzystory bipolarne Toshiba
Atrybut
Parametr
Typ tranzystora
PNP
Maksymalny prąd DC kolektora
100 mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
120 V
Typ opakowania
SOT-346 (SC-59)
Typ montażu
Montaż powierzchniowy
Maksymalna strata mocy
150 mW
Konfiguracja tranzystora
Pojedynczy
Maksymalne napięcie kolektor-baza
-120 V
Maksymalne napięcie emiter-baza
-5 V
Liczba styków
3
Liczba elementów na układ
1
Maksymalna temperatura robocza
+125°C
Wymiary
2.9 x 1.5 x 1.1mm