IGBT Ic 30 A Uce 1350 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 349 W
- Nr art. RS:
- 110-7449
- Nr części producenta:
- IHW30N135R3FKSA1
- Producent:
- Infineon
Ten produkt jest niedostępny.
Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.
Cena netto za szt. (opak. á 3)
21,35 zł
(bez VAT)
26,26 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie* |
|---|---|---|
| 3 - 12 | 21,35 zł | 64,04 zł |
| 15 - 27 | 19,22 zł | 57,65 zł |
| 30 - 72 | 17,94 zł | 53,82 zł |
| 75 - 147 | 16,65 zł | 49,95 zł |
| 150 + | 15,36 zł | 46,08 zł |
*cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 110-7449
- Nr części producenta:
- IHW30N135R3FKSA1
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 1100 do 1600
Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami napięcia znamionowymi emitera emitującego światło kolekcjonerskie od 1100 do 1600 V, wyposażonych w technologię TrenchStop™. Oferta obejmuje urządzenia ze zintegrowaną diodą antyrównoległą o dużej prędkości i szybkim odzyskiwaniu.
• Zakres napięcia kolektora od 1100 do 1600 V.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
• Bardzo niskie VCEsat
• Niskie straty związane z wyłączeniem
• Krótki prąd zwrotny
• Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
• Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 30 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1350 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
| Maksymalna strata mocy | 349 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Pojemność bramki | 2066pF |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |