- Nr art. RS:
- 124-1673
- Nr części producenta:
- HGTG40N60B3
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
22,59 zł
(bez VAT)
27,79 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Tube* |
30 + | 22,59 zł | 677,70 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 124-1673
- Nr części producenta:
- HGTG40N60B3
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Niezgodne
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 70 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Typ opakowania | TO-247 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 3 |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 124-1673
- Nr części producenta:
- HGTG40N60B3
- Producent:
- Fairchild Semiconductor