IGBT Ic 60 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 250 W
- Nr art. RS:
- 124-3699P
- Nr części producenta:
- RJH1CF7RDPQ-80#T2
- Producent:
- Renesas Electronics
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto szt. (w tubie)
15,11 zł
(bez VAT)
18,58 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 4 - 8 | 15,11 zł |
| 10 - 48 | 13,74 zł |
| 50 - 98 | 12,59 zł |
| 100 + | 11,62 zł |
- Nr art. RS:
- 124-3699P
- Nr części producenta:
- RJH1CF7RDPQ-80#T2
- Producent:
- Renesas Electronics
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
Dyskrety IGBT, Renesas Electronics
.
Dyskretne moduły IGBT i moduły
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 60 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 1200 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±30V |
| Maksymalna strata mocy | 250 W |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Szybkość przełączania | 1MHz |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 15.94 x 5.02 x 21.13mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Pojemność bramki | 3270pF |