- Nr art. RS:
- 145-9169
- Nr części producenta:
- IGW50N65H5FKSA1
- Producent:
- Infineon
270 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 30)
13,73 zł
(bez VAT)
16,89 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Tube* |
30 - 30 | 13,73 zł | 411,84 zł |
60 - 120 | 13,04 zł | 391,29 zł |
150 + | 12,49 zł | 374,82 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 145-9169
- Nr części producenta:
- IGW50N65H5FKSA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 600 i 650V.
Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami znamionowymi prądu emitera ciepła 600 i 650V, wyposażona w technologię TrenchStop™. Oferta obejmuje urządzenia ze zintegrowaną diodą antyrównoległą o dużej prędkości i szybkim odzyskiwaniu.
Zakres napięć kolektora-emitera od 600 do 650V.
Bardzo niskie VCEsat
Niskie straty związane z wyłączeniem
Krótki prąd zwrotny
Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
Bardzo niskie VCEsat
Niskie straty związane z wyłączeniem
Krótki prąd zwrotny
Niskie zakłócenia elektromagnetyczne
Maksymalna temperatura połączenia 175°C.
.
Moduł IDBT - moduł Infineon
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 50 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 650 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 305 W |
Typ opakowania | TO-247 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 3 |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
Pojemność bramki | 3000pF |
Energia znamionowa | 0.7mJ |
Minimalna temperatura robocza | -40°C |
Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
- Nr art. RS:
- 145-9169
- Nr części producenta:
- IGW50N65H5FKSA1
- Producent:
- Infineon