IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 938 W

Odpowiadając na zapotrzebowanie rynku na coraz większe ilości krzemu w mniejszych, pozwalających zaoszczędzić miejsce obudowach, Infineon wprowadza nową obudowę TO-247PLUS dla układów IGBT 1200 V. Wyższa wydajność prądowa, lepsze właściwości termiczne. TO-247PLUS ma takie same wymiary zewnętrzne jak standard branżowy TO-247, ale ze względu na brak otworu na śrubę możliwe jest uzyskanie do 75 A przy 1200 V wraz z diodą o parametrach 75 A.

Wysoka gęstość mocy – do 75 A 1200 V IGBT wraz z diodą 75 A w obudowie TO-247
20% niższe R th(jh) w porównaniu do 3-stykowej obudowy TO-247
Wydłużona droga upływu styku kolektora-emitera o długości 4,25 mm
Wydłużona droga upływu zacisku dzięki pełnemu obudowaniu przedniej części obudowy
Wyższa systemowa gęstość mocy – zwiększenie I c przy zachowaniu niezmienionej sprawności termicznej systemu
Mniejsza rezystancja cieplna R th(jh) oraz zwiększona o ∼15% zdolność rozpraszania ciepła TO-247PLUS w porównaniu do TO-247
Większa niezawodność, wydłużona żywotność urządzenia