- Nr art. RS:
- 166-1877
- Nr części producenta:
- FGH60N60SFDTU
- Producent:
- onsemi
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 166-1877
- Nr części producenta:
- FGH60N60SFDTU
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 120 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Maksymalna strata mocy | 378 W |
Typ opakowania | TO-247 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 3 |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 166-1877
- Nr części producenta:
- FGH60N60SFDTU
- Producent:
- onsemi