IGBT Ic 21 A Uce 450 V D2PAK (TO-263) Pojedynczy kanał: N 150 W
- Nr art. RS:
- 166-2084
- Nr części producenta:
- ISL9V3040S3ST
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 12.02.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (800 na rolce)
7,09 zł
(bez VAT)
8,72 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 800 + | 7,09 zł | 5 672,80 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 166-2084
- Nr części producenta:
- ISL9V3040S3ST
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 21 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 450 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±14V |
| Maksymalna strata mocy | 150 W |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |