IGBT Ic 21 A Uce 450 V TO-220AB Pojedynczy kanał: N 150 W
- Nr art. RS:
- 166-2175
- Nr części producenta:
- ISL9V3040P3
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
100 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
12,25 zł
(bez VAT)
15,07 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 12,25 zł | 612,45 zł |
| 100 - 450 | 10,04 zł | 502,20 zł |
| 500 - 950 | 8,46 zł | 423,20 zł |
| 1000 - 2450 | 7,43 zł | 371,50 zł |
| 2500 + | 7,24 zł | 362,15 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 166-2175
- Nr części producenta:
- ISL9V3040P3
- Producent:
- Fairchild Semiconductor
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne Fairchild Semiconductor
.
Moduły i dyskretne IGBT, Fairchild Semiconductor
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Maksymalny ciągły prąd kolektora | 21 A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 450 V |
| Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±14V |
| Maksymalna strata mocy | 150 W |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Typ kanału | N |
| Liczba styków | 3 |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Wymiary | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |
| Minimalna temperatura robocza | -40°C |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |