- Nr art. RS:
- 686-8376
- Nr części producenta:
- STGP10NC60KD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 10.02.2025, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
4,01 zł
(bez VAT)
4,93 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
5 - 20 | 4,01 zł | 20,03 zł |
25 - 45 | 3,81 zł | 19,04 zł |
50 - 120 | 3,45 zł | 17,24 zł |
125 - 245 | 3,37 zł | 16,83 zł |
250 + | 3,28 zł | 16,38 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 686-8376
- Nr części producenta:
- STGP10NC60KD
- Producent:
- STMicroelectronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Dyskretne IGBT STMicroelectronics
.
Moduł IGBT Elementy dyskretne i moduły, STMicroelectronics
Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Maksymalny ciągły prąd kolektora | 20 A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter | 600 V |
Maksymalne napięcie bramka-emiter | ±20V |
Typ opakowania | TO-220 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Typ kanału | N |
Liczba styków | 3 |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Wymiary | 10.4 x 4.6 x 9.15mm |
Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
- Nr art. RS:
- 686-8376
- Nr części producenta:
- STGP10NC60KD
- Producent:
- STMicroelectronics