Semikron Danfoss Moduł IGBT SKM75GB12T4 Ic 115 A Uce 1200 V 2 SEMITRANS kanał: Typ N 7-pinowy Panel

Zobacz wszystkie Tranzystory IGBT
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

381,83 zł

(bez VAT)

469,65 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • Liczba sztuk gotowa do wysyłki: 1
  • Dodatkowe 24 szt. dostępne od 16 marca 2026
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 1381,83 zł
2 - 4362,34 zł
5 - 9342,86 zł
10 - 19305,46 zł
20 +281,03 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
687-4961
Nr części producenta:
SKM75GB12T4
Producent:
Semikron Danfoss
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Semikron Danfoss

Maksymalny ciągły prąd kolektora Ic

115A

Typ produktu

Moduł IGBT

Maksymalne napięcie emitera kolektora Vceo

1200V

Liczba tranzystorów

2

Typ obudowy

SEMITRANS

Typ montażu

Panel

Typ kanału

Typ N

Liczba styków

7

Szybkość przełączania

20kHz

Maksymalne napięcie nasycenia kolektor-emiter VceSAT

2.1V

Minimalna temperatura robocza

175°C

Maksymalne napięcie bramka-emiter VGEO

20 V

Maksymalna temperatura robocza

-40°C

Wysokość

30.1mm

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

94mm

Szerokość

34 mm

Seria

SKM75GB12T4

Norma motoryzacyjna

Nie

Dwa moduły IGBT


Seria modułów SEMITOP® IGBT firmy Semikron, zawierająca dwa połączone szeregowo (półmostek) urządzenia IGBT. Moduły są dostępne w szerokim zakresie napięć i prądów znamionowych i są odpowiednie do różnych zastosowań przełączania zasilania, takich jak napędy silników przemienników prądu przemiennego i zasilacze bezprzerwowe.

Kompaktowy zestaw SEMITOP®

Nadaje się do przełączania częstotliwości do 12 kHz

Izolowana miedziana płytka podstawowa oparta na technologii Direct Bond Copper

Moduły IGBT, Semikron


Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Powiązane linki