Moduł IGBT Ic 314 A Uce 1200 V SEMITRANS3 Szereg kanał: N

Nr art. RS:: 687-4973
Nr części producenta:: SKM200GB12E4
Producent:: Semikron

Moduł IGBT Ic 314 A Uce 1200 V SEMITRANS3 Szereg kanał: N

Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.

Cena netto za szt.

902,21 zł

(bez VAT)

1 109,72 zł

(z VAT)

Produkty	Za jednostkę
1 - 1	902,21 zł
2 - 4	857,07 zł
5 - 9	748,94 zł
10 - 19	669,47 zł
20 +	636,12 zł

Wysyłka standardowa

Nr art. RS:: 687-4973
Nr części producenta:: SKM200GB12E4
Producent:: Semikron

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Dwa moduły IGBT

Seria modułów SEMITOP® IGBT firmy Semikron, zawierająca dwa połączone szeregowo (półmostek) urządzenia IGBT. Moduły są dostępne w szerokim zakresie napięć i prądów znamionowych i są odpowiednie do różnych zastosowań przełączania zasilania, takich jak napędy silników przemienników prądu przemiennego i zasilacze bezprzerwowe.

Kompaktowy zestaw SEMITOP®
Nadaje się do przełączania częstotliwości do 12 kHz
Izolowana miedziana płytka podstawowa oparta na technologii Direct Bond Copper

.

Moduły IGBT, Semikron

Tranzystor bipolarny Bate Izolowane lub IGBT to terminal półprzewodnikowy z zasilaniem trójbiegunowym, o wysokiej wydajności i szybkim przełączaniu. Tranzystor IGBT łączy w sobie prostą charakterystykę napędu bramki MOSFET z możliwością pomiaru wysokiego i niskiego napięcia nasycenia tranzystorów dwubiegunowych poprzez połączenie izolowanego bramki FET dla wejścia sterującego oraz tranzystora bipolarnego mocy jako przełącznika w jednym urządzeniu.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Maksymalny ciągły prąd kolektora	314 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter	1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter	±20V
Konfiguracja	Podwójny półmostek
Typ opakowania	SEMITRANS3
Typ montażu	Montaż na panelu
Typ kanału	N
Liczba styków	7
Konfiguracja tranzystora	Szereg
Wymiary	106.4 x 61.4 x 30mm
Maksymalna temperatura robocza	+175 °C
Minimalna temperatura robocza	-40 °C